STFI15NM65N Datenblatt
Technische Daten für STFI15NM65N
Artikelnummer : STFI15NM65N
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
Serie : MDmesh™ II
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 983pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAKFP (TO-281)
Paket / fall : TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STFI15NM65N
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
117190 Stücke
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