STFI20N65M5 Datenblatt
Technische Daten für STFI20N65M5
Artikelnummer : STFI20N65M5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Serie : MDmesh™ V
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1345pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 130W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAKFP (TO-281)
Paket / fall : TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STFI20N65M5
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
104600 Stücke
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