STFW3N170 Datenblatt
Technische Daten für STFW3N170
Artikelnummer : STFW3N170
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 1700V 2.6A
Serie : PowerMESH™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : ISOWATT-218FX
Paket / fall : ISOWATT218FX
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STFW3N170
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
93325 Stücke
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