STGB40H65FB Datenblatt
Technische Daten für STGB40H65FB
Artikelnummer : STGB40H65FB
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
Serie : HB
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 160A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 40A
Leistung max : 283W
Energie wechseln : 498µJ (on), 363µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 40ns/142ns
Testbedingung : 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D2PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STGB40H65FB
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
234740 Stücke
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