Technische Daten für STT5N2VH5

Artikelnummer : STT5N2VH5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Serie : STripFET™ V
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 367pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-6
Paket / fall : SOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1566785 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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