STU3N62K3 Datenblatt
Technische Daten für STU3N62K3
Artikelnummer : STU3N62K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 620V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 385pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STU3N62K3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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