STW63N65DM2 Datenblatt
Technische Daten für STW63N65DM2
Artikelnummer : STW63N65DM2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET
Serie : FDmesh™ II Plus
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 100V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STW63N65DM2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
60935 Stücke
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