T2N7002BK,LM Datenblatt
Technische Daten für T2N7002BK,LM
Artikelnummer : T2N7002BK,LM
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
Serie : U-MOSVII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 320mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-T2N7002BK,LM
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
16670485 Stücke
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