TF262TH-4-TL-H Datenblatt
Technische Daten für TF262TH-4-TL-H
Artikelnummer : TF262TH-4-TL-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : JFET N-CH 1MA 100MW
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS) : -
Drain-Source-Spannung (Vdss) : -
Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 140µA @ 2V
Stromaufnahme (Id) - max : 1mA
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id : 200mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3.5pF @ 2V
Widerstand - RDS (Ein) : -
Leistung max : 100mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 3-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package : VTFP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
JFET N-CH 1MA 100MW
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
33775 Stücke
Referenzpreis
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