TK12J60U(F) Datenblatt
Technische Daten für TK12J60U(F)
Artikelnummer : TK12J60U(F)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
Serie : DTMOSII
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 144W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P(N)
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TK12J60U(F)
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
114320 Stücke
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