TK160F10N1L,LQ Datenblatt
Technische Daten für TK160F10N1L,LQ
Artikelnummer : TK160F10N1L,LQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 160A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10100pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-220SM(W)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
348255 Stücke
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