TK31E60W,S1VX Datenblatt
Technische Daten für TK31E60W,S1VX
Artikelnummer : TK31E60W,S1VX
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
76280 Stücke
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