TK31V60X,LQ Datenblatt
Technische Daten für TK31V60X,LQ
Artikelnummer : TK31V60X,LQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
Serie : DTMOSIV-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 240W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall : 4-VSFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TK31V60X,LQ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
191735 Stücke
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