TK35N65W,S1F Datenblatt
Technische Daten für TK35N65W,S1F
Artikelnummer : TK35N65W,S1F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 2.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 270W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TK35N65W,S1F
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
65395 Stücke
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