TK39A60W,S4VX Datenblatt
Technische Daten für TK39A60W,S4VX
Artikelnummer : TK39A60W,S4VX
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220SIS
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
57540 Stücke
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