TK40P03M1(T6RSS-Q) Datenblatt
Technische Daten für TK40P03M1(T6RSS-Q)
Artikelnummer : TK40P03M1(T6RSS-Q)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
Serie : U-MOSVI-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DP
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9792 Stücke
Referenzpreis
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