TK4P60DA(T6RSS-Q) Datenblatt
Technische Daten für TK4P60DA(T6RSS-Q)
Artikelnummer : TK4P60DA(T6RSS-Q)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
Serie : π-MOSVII
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 490pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 80W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12784 Stücke
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