TK4R3E06PL,S1X Datenblatt
Technische Daten für TK4R3E06PL,S1X
Artikelnummer : TK4R3E06PL,S1X
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSIX-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3280pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 87W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
236160 Stücke
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