TK4R4P06PL,RQ Datenblatt
Technische Daten für TK4R4P06PL,RQ
Artikelnummer : TK4R4P06PL,RQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Serie : U-MOSIX-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 58A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3280pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 87W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
732460 Stücke
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