Technische Daten für TK6Q65W,S1Q

Artikelnummer : TK6Q65W,S1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 180µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
455045 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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