TN5325N8-G Datenblatt
Technische Daten für TN5325N8-G
Artikelnummer : TN5325N8-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 316mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-243AA (SOT-89)
Paket / fall : TO-243AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TN5325N8-G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1031785 Stücke
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