TPC8208(TE12L,Q,M) Datenblatt
Technische Daten für TPC8208(TE12L,Q,M)
Artikelnummer : TPC8208(TE12L,Q,M)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2.5A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 10V
Leistung max : 450mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP (5.5x6.0)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
27335 Stücke
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