TPCC8009,LQ(O Datenblatt
Technische Daten für TPCC8009,LQ(O
Artikelnummer : TPCC8009,LQ(O
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Serie : U-MOSIV
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1270pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
12832 Stücke
Referenzpreis
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