TPCF8102(TE85L,F,M Datenblatt
Technische Daten für TPCF8102(TE85L,F,M
Artikelnummer : TPCF8102(TE85L,F,M
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
Serie : U-MOSIII
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1550pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : VS-8 (2.9x1.5)
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6936 Stücke
Referenzpreis
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