TPD3215M Datenblatt
Technische Daten für TPD3215M
Artikelnummer : TPD3215M
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 100V
Leistung max : 470W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TPD3215M
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4176 Stücke
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