TPH1R204PL,L1Q Datenblatt
Technische Daten für TPH1R204PL,L1Q
Artikelnummer : TPH1R204PL,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 150A
Serie : U-MOSIX-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7200pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 960mW (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 150A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
847725 Stücke
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