Technische Daten für TPH1R712MD,L1Q

Artikelnummer : TPH1R712MD,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
Serie : U-MOSVI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 182nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10900pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 78W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
856420 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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