TPH3205WSBQA Datenblatt
Technische Daten für TPH3205WSBQA
Artikelnummer : TPH3205WSBQA
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 35A TO247
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs (Max) : ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TPH3205WSBQA
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 650V 35A TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
30247 Stücke
Referenzpreis
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