Technische Daten für TPH3212PS

Artikelnummer : TPH3212PS
Hersteller : Transphorm
Beschreibung : GANFET N-CH 650V 27A TO220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 400uA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V
Vgs (Max) : ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 650V 27A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
40218 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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