TPH4R10ANL,L1Q Datenblatt
Technische Daten für TPH4R10ANL,L1Q
Artikelnummer : TPH4R10ANL,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 92A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6.3nF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
688660 Stücke
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