TPH6R004PL,LQ Datenblatt
Technische Daten für TPH6R004PL,LQ
Artikelnummer : TPH6R004PL,LQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie : U-MOSIX-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 87A (Ta), 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1423150 Stücke
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