TSM200N03DPQ33 RGG Datenblatt
Technische Daten für TSM200N03DPQ33 RGG
Artikelnummer : TSM200N03DPQ33 RGG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V
Leistung max : 20W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-PDFN (3x3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2682915 Stücke
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