TSM6502CR RLG Datenblatt
Technische Daten für TSM6502CR RLG
Artikelnummer : TSM6502CR RLG
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Leistung max : 40W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-PDFN (5x6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1743170 Stücke
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