UPA2690T1R-E2-AX Datenblatt
Technische Daten für UPA2690T1R-E2-AX
Artikelnummer : UPA2690T1R-E2-AX
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel Complementary
FET-Funktion : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V
Leistung max : 2.3W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-PowerWDFN
Supplier Device Package : 6-HUSON (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2226690 Stücke
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