UPA2816T1S-E2-AT Datenblatt
Technische Daten für UPA2816T1S-E2-AT
Artikelnummer : UPA2816T1S-E2-AT
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.4nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1067790 Stücke
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