US6J2TR Datenblatt
Technische Daten für US6J2TR
Artikelnummer : US6J2TR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 10V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package : TUMT6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-US6J2TR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2038385 Stücke
Referenzpreis
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