VP2106N3-G Datenblatt
Technische Daten für VP2106N3-G
Artikelnummer : VP2106N3-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 250mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92-3
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-VP2106N3-G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
954295 Stücke
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