VQ1001P-E3 Datenblatt
Technische Daten für VQ1001P-E3
Artikelnummer : VQ1001P-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 4 N-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 15V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : -
Supplier Device Package : 14-DIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-VQ1001P-E3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
28413 Stücke
Referenzpreis
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