VS-GB75LP120N Datenblatt
Technische Daten für VS-GB75LP120N
Artikelnummer : VS-GB75LP120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : -
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 170A
Leistung max : 658W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.82V @ 15V, 75A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 5.52nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package : INT-A-PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6184 Stücke
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