VS-GB90SA120U Datenblatt
Technische Daten für VS-GB90SA120U
Artikelnummer : VS-GB90SA120U
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 149A
Leistung max : 862W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : -
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SOT-227-4
Supplier Device Package : SOT-227
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
11288 Stücke
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