VS-GT400TH120N Datenblatt
Technische Daten für VS-GT400TH120N
Artikelnummer : VS-GT400TH120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 600A
Leistung max : 2119W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 28.8nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package : Double INT-A-PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6224 Stücke
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