VT6M1T2CR Datenblatt
Technische Daten für VT6M1T2CR
Artikelnummer : VT6M1T2CR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7.1pF @ 10V
Leistung max : 120mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package : VMT6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-VT6M1T2CR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
8380050 Stücke
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