W987D6HBGX6E Datenblatt
Technische Daten für W987D6HBGX6E
Artikelnummer : W987D6HBGX6E
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße : 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TFBGA
Supplier Device Package : 54-VFBGA (8x9)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-W987D6HBGX6E
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
228705 Stücke
Referenzpreis
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