ZXMP3F35N8TA PDF-Datenblatt herunterladen - MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

Technische Daten für ZXMP3F35N8TA

Artikelnummer : ZXMP3F35N8TA

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 77.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Hersteller Teilenummer

ZXMP3F35N8TA

Interne Teilenummer

AX-ZXMP3F35N8TA

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

17696 Stücke

Referenzpreis

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ZXMP3F35N8TA Datenblatt

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