GKI06109 - MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN

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MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
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Technische Daten für GKI06109

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GKI06109
Hersteller : Sanken
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 650µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2520pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 59W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-DFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für GKI06109

Datenblätter : GKI06109.pdf

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