IS43DR86400D-3DBI - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
64650 Pieces
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Technische Daten für IS43DR86400D-3DBI
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IS43DR86400D-3DBI
Hersteller :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung :
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - DDR2
Speichergröße :
512Mb (64M x 8)
Taktfrequenz :
333MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
450ps
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
60-TFBGA
Supplier Device Package :
60-TWBGA (8x10.5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IS43DR86400D-3DBI
Datenblätter :
IS43DR86400D-3DBI.pdf
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