BSP300H6327XUSA1 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
726095 Pieces
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Technische Daten für BSP300H6327XUSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSP300H6327XUSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
230pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223-4
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSP300H6327XUSA1
Datenblätter :
BSP300H6327XUSA1.pdf
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