DMN10H170SFDE-13 - MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Hersteller Teilenummer

DMN10H170SFDE-13

Interne Teilenummer

AX-DMN10H170SFDE-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN10H170SFDE-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN10H170SFDE-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1167pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 660mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type E)

Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN10 , DMN10H17

Dokumente für DMN10H170SFDE-13

Datenblätter : DMN10H170SFDE-13.pdf

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