IRFH5302DTR2PBF - MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRFH5302DTR2PBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRFH5302DTR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3635pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (5x6) Single Die
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRFH5302DTR2PBF
Datenblätter :
IRFH5302DTR2PBF.pdf
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