FQU1N80TU - MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FQU1N80TU

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQU1N80TU
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 195pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FQU1N80TU

Datenblätter : FQU1N80TU.pdf

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